9月9日，中国工信部发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，里面的氟化氪光刻机照明波长248nm、套刻精度⩽25nm，氟化氩光刻机光源193纳米，套刻≤8nm。这里有3点值得注意：其一，传统DUV光刻机，其光源为193纳米或248纳米，中国问世的这两型光刻机符合此条件，应该就是我们通常所说的DUV光刻机，只是官方没采用“DUV光刻机”这种说法。其二，这两种光刻机已经开始“推广应用”，意味着它们不是实验室样品，而是成熟产品，并且是拥有自主知识产权的国产光刻机。其三，氟化氩光刻机的套刻精度小于8nm，结合我们的多重曝光技术，有可能能做7nm、5nm芯片。上述三点是作者的个人看法，如果理解的没有偏差，意味着中国DUV光刻机已正式问世，这将是具有里程碑意义的重大事件。到这里，就不得说一些人真是惨遭打脸：首先，是美国荷兰遭到光速打脸美国一直在死卡中国芯片与光刻机，先是卡DUV与先进芯片、后是EUV与高端芯片，如今要求荷兰连售与中国的光刻机的售后都别做了，想用此手段让所有中国光刻机趴窝，让中国无法生产芯片。结果荷兰在9月6日宣布，中国9月9日就宣布了自家DUV光刻机问世，并且看上述图片里的成文日期是在9月2日。很可能是我们早就知道了对方的动作，早就把文案写好了，就等着对方宣布后，我们立马官宣。美国与荷兰ASML，成功给自己逼出了一个强大对手。其次……

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